Árbók Háskóla Íslands - 01.01.1988, Page 196
194
Árbók Háskóla íslands
Raunvísindadeild og fræðasvið hennar
almanaksárið 1987
Raunvísindastofnun Háskólans
Eölisfræöistofa
Ritskrá'
BRAGIÁRNASON
prófessor
Kafli íbók
Rannsóknir á fslenskum orkulindum. — Þætt-
ir úr rannsóknarsögu háskólakennara. (Þor-
steinn I. Sigfússon [ritstj.], / hlutarins eðli.
Afmœlisrit til heiðurs Þorbirni Sigurgeirssyni
prófessor. Menningarsjóður, 1987, s. 167-
190.)
EINAR H. GUÐMUNDSSON
sérfræðingur
Kaflar í bókum
3K geislunin og ljóshvolf hins sýnilega heims.
(Leó Kristjánsson [ritstj.], Rannsóknir í eðl-
isfrœði á íslandi. Erindi af ráðstefnu Eðlis-
frœðifélags íslands. Eðlisfræðifélag íslands,
1985, s. 85-98.)
Yfirborð nifteindastjama (Jón Pétursson og Þór
Jakobsson [ritstj.], Eðlisfrœði á íslandi III.
Erindi afráðstefnu Eðlisfrœðifélags íslands.
Eðlisfræðifélag íslands, 1987, s. 42-68.)
Ritstjórn
Orðaskrá um eðlisfræði, stjömufræði og skyld-
ar greinar. (Orðanefnd Eðlisfræðifélags ís-
lands, 1985.) [í ritstjóm.]
HAFLIÐI PÉTUR GÍSLASON
prófessor
Kaflar í bókum
Characterization of a neutral AsGa-CuGa pair
defect in GaAs. [B. Monemar, X. Q. Zhao, W.
Þar sem útgáfustaðar er ekki getið, er liann Reykjavík.
M. Chen, P. O. Holtz og M. Ahlström með-
höf.] (Institute ofPhysics Conference Series.)
[I prentun.]
Pgu complexes in GaP studied with optical
detection of magnetic resonance. [W. M.
Chen, M. Godlewski og B. Monemar með-
höf.] (Institute ofPhysics Conference Series.)
[I prentun.]
Við upphaf nýrra rannsókna á íslandi. (Ólafur
Halldórsson [ritstj.], Grunnrannsóknir á Is-
landi.) [í prentun.] [Erindi flutt á ráðstefnu
Visindafélags íslendinga 11. aprfl 1987 í
Reykjavík.]
Greinar
An ODMR study of close donor-acceptor pair
recombination involving Cu and Li com-
plexes in GaP. [A. Kana-ah, B. C. Cavenett
og B. Monemar meðhöf.] (Semiconductor
Science andTechnology, 2, 1987, s. 151.)
Infrared ODMR spectra for Cu- and Li-doped
GaP. [A. Kana-ah, B. C. Cavenett og B. Mo-
nemar meðhöf.] (Semiconductor Science and
Technology, 2, 1987, s. 299.)
Electronic properties of a complex Cu-related
acceptor with a bound exciton at 2. 3423 eV
in ZnTe. [W. M. Chen, B. Monemar, P. O.
Holtz og X. Q. Zhao meðhöf.] (Physical Re-
view B35, 1987, s. 5714.)
Electronic structure of a hole-attractive neutral
Cu-related complex-defect bound exciton at
2.345 eV in ZnTe. [W. M. Chen, X. Q.
Zhao, B. Monemar og P. O. Holtz meðhöf.]
(Physical Review B35, 1987, s. 5722.)
1