Árbók Háskóla Íslands - 01.01.1991, Blaðsíða 378

376
Árbók Háskóla íslands
hálfleiðurum. í: Eðlisfrœöi á Islandi, 4. Jakob
Yngvason og Þorsteinn Vilhjálmsson, ritstj.
Rv.: Eðlisfræðifélag íslands; 1989: 76—95.
Mælitækni og tölvustýring ljós- og segulhermu-
mælinga. Sveinn Olafsson, meðhöf. 1: Eðlis-
fi œði á Islandi, 4. Jakob Yngvason og Þorsteinn
Vilhjálmsson, ritstj. Rv.: Eðlisfræðifélag
íslands; 1989:45—56.
Mælitækni við grunnrannsóknir í eðlisfræði
þéttefnis við Raunvísindastofnun Háskólans.
(1) Brynjólfur Þórsson, meðhöf. Arbók Tímarits
Verkfrœðingafélags íslands I988\ 1989: 181—
193.
Antisite defects in as-grown and electron-
irradiated InR (2) H. Sun, (3) F. Rong og (4)
G.D. Watkins, meðhöf. I: Physics of semicon-
ductors, I : Thessaloniki, Greece, August 6—
10, 1990. E.M. Anastassakis og J.D. Joanno-
poulos, ritstj. Singapore: World Scientific;
1990:666—669.
Antisite defects in indium phosphide. í:
Proceedings ofthe 14th Nordic semiconductor
meeting, Arhus. O. Hansen, ritstj. Árhus:
Institute of Physics, Laboratory for Semi-
conductor Technology; 1990: 64—67.
Defect structure transfonnation on anion Frenkel
pair defects in InP : application for undoped
semi-insulating InP. (1) K. Ando, (2) A. Katsui
og (3) G.D. Watkins, meðhöf. í: Defect control
in semiconductors. K. Sumino, ritstj. [S.l.]:
Elsevier Science Publishers; 1990: 921—926.
Photoluminescence study of GaAs diffused with
Li. (2) Einar Ö. Sveinbjömsson, (3) B. Monem-
ar og (4) M. Linnarsson, meðhöf. í: Impurities,
defects and diffusion in semiconductors : bulk
and layered structures. D.J. Wolford, J. Bem-
holc og E.E. Haller, ritstj. Pittsburgh: Materials
Research Society; 1990: 127—132. (Materials
Research Society. Symposium proceedings;
163).
The role of native defects in the optical properties
of Li- diffused GaAs. (2) Einar Ö. Svein-
bjömsson, meðhöf. í: Proceedings of the I4th
Nordic semiconductor meeting, Arhus. O.
Hansen, ritstj. Árhus: Institute of Physics,
Laboratory for Semiconductor Technology;
1990: 137—140.
Greinar
Characterization of an anion antisite defect as a
deep double donor in InP. (1) K. Ando, (2) A.
Katsui, (3) D.Y. Jeon, og (4) G.D. Watkins,
meðhöf. Materials Science Forunr, 1989; 38:
761.
Magnetic circular dichroism studies of electron-
irradiation induced defects in InP. (2) D. Jeon,
(3) K. Ando og (4) G.D. Watkins, meðhöf.
Materials Science Forum\ 1989; 38: 1145.
Nóbelsverðlaunin í eðlisfræði 1989. Fréttabréf
Háskóla íslands; 1989; (9): 13-15.
Tölvustýringar og gagnasöfnun við rannsóknir í
eðlisfræði þéttefnis. (1) Brynjólfur Þórsson,
meðhöl'. Raflost; 1989: 38.
Triplet bound excitons in copper-doped gallium
phosphid e.Applied Physics; 1989; A48: 11.
Different configurations of the P[n antisite in n-
and p-type InP observed in optically detected
ENDOR. (2) F. Rong og (3) G.D. Watkins,
meðhöf. Acta Physica Polonica; 1990; A77:
59—62.
Skýrslur
Photoluminescence study ofGaAs diffused with
Li. (2) Einar Öm Sveinbjömsson, (3) B.
Monemar og (4) M. Linnarsson, meðhöf. Rv.:
Raunvísindastofnun Háskólans; 1989. 58 s.
(Raunvisindastofnun Háskólans; RH—10-89).
Tilraunaframleiðsla rafeindaoxíða með vatns-
varmatœki og greining eiginleika þeirra. (1)
Hilmar B. Janusson, (2) Guðmundur Gunnars-
son, (3) Hallgrímur Jónasson og (5) Jón
Pétursson, meðhöf. Rv.: Iðntæknistofnun
íslands; 1989. 37 s. (Iðntæknistofnun íslands.
Skýrsla; 890/HTD0).
Uppbygging tilraunaaðstöðu í eðlisfrceði hálf-
leiðara við Háskóla íslands. (1) Sveinn
Ólafsson, (2) Einar Öm Sveinbjömsson og (3)
Brynjólfur Þórsson, meðhöf. Rv.: Raunvísinda-
stofnun Háskólans; 1989. 90 s. (Raunvísinda-
stofnun Háskólans; RH—02—89).
Optical measurements on 2D electron systems at
the Science Institute. (1) ísak Sverrir Hauksson
og (2) H. Sigg, meðhöf. Rv.: Raunvísinda-
stofnun Háskólans; 1990. (Raunvísindastotnun
Háskólans; RH—16—90).
Spectroscopy of 2-dimensional GaAs-AlGaAs
semiconductor structures. (1) Hans Siggeirsson,
(2) ísak Sverrir Hauksson og (4) Viðar
Guðmundsson, meðhöf. Rv.: Raunvísinda-
stofnun Háskólans; 1990. 48 s. (Raunvísinda-
stofnun Háskólans; RH—16—90).